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IXFC 16N50P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
ISOPLUS220 TM (IXFC) Outline
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 20 V; I D = I T , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
9
16
2250
240
12
23
25
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
R G = 10 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
70
22
43
15
12
0.21
1.0
ns
ns
nC
nC
nC
° C/W
° C/W
Note:
Bottom heatsink (Pin 4) is
electrically isolated from Pin
1,2, or 3.
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
16
40
1.5
A
A
V
Ref: IXYS CO 0177 R0
t rr
I RM
Q RM
I F = 16 A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
6
0.6
200
ns
A
μ C
Note 1: Test Current I T = 8 A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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